（2025年-12月-25日） – 致力于第三代半导体技术创新的（美意芯半导体）今日正式宣布，推出新一代高压碳化硅（SiC）功率器件——MYS3M0050330K 3300V SiC MOSFET。该产品的面世，标志着公司在高压大功率半导体领域取得重大技术突破，旨在为智能电网、轨道交通、工业驱动及新能源等高端装备提供效率更高、体积更小、运行更可靠的核心元器件解决方案。

攻克高压壁垒，定义高效新标杆

MYS3M0050330K 采用先进的芯片设计与工艺技术，具有高达3300V的阻断电压能力，显著超越了传统硅基IGBT和MOSFET的耐压水平（通常在900V至1200V），直接满足中压电力系统的严苛要求。

产品在导通损耗方面表现卓越，在18V驱动电压下，典型导通电阻低至58mΩ。这一特性确保了器件在承载大电流时，能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。结合碳化硅材料固有的宽禁带特性，该MOSFET能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定工作，高温下的导通电阻变化率远低于硅基器件，表现出优异的温度稳定性。

赋能系统创新，实现小型化与高可靠性

高频开关，提升功率密度：SiC材料的电子饱和漂移速度是硅的2倍，使得MYS3M0050330K具备极快的开关速度。这允许电源拓扑（如LLC谐振变换器）的工作频率大幅提升至数百kHz，从而显著减小系统中变压器、电感等磁性元件的体积和重量。有助于客户实现电源系统功率密度超过600W/dm³的先进设计，使设备更加紧凑。

简化设计，增强可靠性：在以往需要多个低压器件（如1200V或1700V MOSFET）串联才能实现的高压应用中，MYS3M0050330K凭借其单管3300V的高耐压能力，可以简化电路拓扑和栅极驱动设计，减少元器件数量，降低因多个器件参数不一致带来的可靠性风险，并降低系统的寄生电感和导通损耗。产品采用新型TO-247-4L封装，其开尔文源极连接有效消除了源极寄生电感对栅极驱动的干扰，进一步降低了开关损耗，确保了高频开关下的稳定性和效率。

intrinsic体二极管优势：器件内置的体二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr），反向恢复时间极短。这一特性在图腾柱PFC等硬开关拓扑中至关重要，能有效减小开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统在硬开关条件下的效率和可靠性。

瞄准高端应用，驱动产业升级

MYS3M0050330K 3300V SiC MOSFET将为以下关键领域带来变革性的解决方案：

轨道交通牵引系统：为地铁、高铁的牵引逆变器提供高频、高效的核心开关器件，助力实现综合能耗降低超过10%的节能目标。

智能电网与固态变压器（SST）：适用于中压等级的储能变流器（PCS）、柔性交流输电系统等，推动电网设备向小型化、轻量化发展，设备体积和重量有望降低一个数量级。

光伏逆变器与大型储能系统：直接适配1500V高压直流母线，简化系统结构，同时通过高频化设计提升转换效率，系统效率绝对值可提升1-2%，有效降低平准化度电成本（LCOE）。

大功率工业电源：包括感应加热、电镀电源、大型通信电源等，可实现超过96%的系统效率，并显著缩小设备体积。

特种装备与新能源汽车：如重型车辆的电驱动系统、大功率DC/DC变换器等，满足其对高功率密度和高可靠性的要求。

技术驱动，共创未来

（美意芯半导体）始终聚焦于前沿功率半导体技术的研发与应用。MYS3M0050330K 3300V SiC MOSFET的成功推出，不仅体现了公司雄厚的技术研发实力，也彰显了我们助力客户应对高压大功率应用挑战、共同推动产业向高效、节能方向发展的坚定承诺。

如需了解更多关于MYS3M0050330K 3300V SiC MOSFET的产品信息、样品申请或技术资料，请访问我司官方网站或联系我们的销售团队。

MYS3M0050330K_Rev2.0.pdf